Samsung Electronics са технологичен гигант, който диктува тенденциите в производството на хардуер за потребителска електроника. Смартфоните Galaxy са добър пример за постиженията на компанията в сферата на дисплеите, хардуер, батериите и др. Все пак бизнес стратегията на Samsung не е ограничена единствено до мобилните устройства
Следващият впечатляващ проект на компанията е свързан с разработването на първите в индустрията 512GB DDR5 RAM модули, които са базирани на High-K Metal Gate (HKMG) технологията. Тази производствена информация ще гарантира два пъти по-висока производителност от DDR4 RAM, която достига до 7200Mbps.
Новото поколение DDR5 RAM памет на Samsung е разработена да отговори на специфичните нужди на суперкомпютрите, системите с изкуствен интелект и машинно обучение, както и обработката на база данни за научни изследвания.
В момента Samsung е единственият производител, който разполага с необходимия ресурс и капацитет да интегрира HKMG за създаване на DRAM памет.
Традиционно технологията се използва за създаването на полупроводници, но вече е възможно да се произвежда и DDR5 RAM. От Samsung обещават не само по-висока производителност, но и двуцифрен спад в консумацията на енергия.
Тестовете показват, че центрове за данни базирани на DDR5 RAM с технологията HKMG работят на пълни обороти, използвайки около 15% по-малко електричество. Всяка оптимизация, която намалява необходимата енергия е от ключово значение за сървърните конфигурации.
За първи път HKMG процеса е използван в създаването на GDDR6 памет през 2018г. Сега компанията разширява възможностите на този иновативен процес и за DDR5 RAM. В конкретният случай „Тrough-Silicon Via“ (TSV) технологията позволява поставянето на осем слоя 16Gb DRAM с общ капацитет 512GB.
Провеждат се различни модификации на новата DDR5 RAM памет, който да отговорят на високите изисквания за модерни изчислителни ситеми, които обработват огромно количество информация.
Oще от Digitаl: Samsung ще инвестира $116 млрд., за да изпревари TSMC в производството на 3nm процесори
