Samsung са лидер по продажби на смартфони и компания, която произвежда много от хардуерните продукти за своите устройства. Това е стратегически бизнес, с който корейският гигант генерира допълнителни приходи. Водещите имена в индустрията доставят различни компоненти от Samsung, като това включва и Apple.

Следващият амбициозен проект е свързан с партньорство с друг технологичен гигант, а именно IBM.

Повече детайли научаваме по време на IEDM конференцията. Двете компании са създали изцяло различен прототип на полупроводник с вертикално разположени транзистори. Пълното име на архитектурата е Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET).

Процесорите за смартфони използват транзистори, които лежат плоско на повърхността и електрическата енергия преминава по протежението на едната и другата страна. В същото време при VTFET самите транзистори са разположени перпендикулярно, като тока протича вертикално, съобщава Engadget.

Оптимизираният дизайн ще осигури по-голяма плътност, в сравнение с конвенционалните чипове в мобилната индустрия. Samsung и IBM изтъкват няколко водещи предимства архитектурата. На първо място VTFET отстранява ограниченията с производителността с т.нар. „Moore Law“. Oще по-важното е, че транзисторите подредени вертикално могат да увеличат два пъти скоростта.

Изчисленията на двете компании показват, че консумацията на енергия може да бъде редуцирана със 85%, в сравнение с чиповете използващи FinFET транзистори. Въвеждането на технологията в реални устройства ще позволи на смартфоните да издържат седмица с едно зареждане на батерията, което е сериозен ъпгрейд над настоящите технологии.

VTFET има голям потенциал, като все още не знаем кога да очакваме комерсиализацията на новата технология.